Incorporación de moléculas de una sustancia directamente a otra. La absorción puede ser un proceso físico o químico; la absorción física implica factores como la solubilidad y relaciones entre vapor y presión, y la absorción química implica reacciones químicas entre la sustancia absorbida y el medio absorbente.

Adhesión de las moléculas de líquidos, gases y sustancias disueltas a la superficie de sólidos, en contraste con la absorción.

Introducción de un adulterante en un semiconductor para modificar sus propiedades eléctricas mediante la creación de una concentración de portadores N o P. La adulteración suele lograrse mediante procesos de difusión o implantación de iones.

Elemento que altera la conductividad de un material semiconductor al aportar un agujero libre (tipo P) o electrón (tipo N) al cristal. Se usa comúnmente boro para la adulteración tipo P del silicio, y fósforo, arsénico y antimonio para la del tipo N.

Deposición química de capa atómica por vapor; es lo mismo que deposición de capa atómica (ALD).

Deposición de capa atómica; un método de deposición en el cual la deposición de cada capa atómica del material es controlada mediante una capa de precursor previamente depositada; se introducen precursores y diversos componentes de la película alternativamente; el método tiene 100% de cobertura por paso y muy buena conformidad; se usa, por ejemplo, en la deposición de dieléctricos alternativos para puertas MOS.

Epitaxia de capas atómicas; proceso de deposición de capas atómicas que forma una capa epitaxial.

Deposición química por vapor a presión atmosférica; proceso de deposición química por vapor realizado a presión atmosférica; suele derivar en una menor calidad de película y de conformidad del revestimiento en comparación con la CVD a baja presión (LPCVD).

Bomba de alto vacío que opera en el intervalo de presiones de aproximadamente 10-3 torr a 10-10 torr; extrae moléculas de gas del vacío atrapándolas en superficies frías: bombeo eficiente y limpio; se usa comúnmente en equipos de vacío de alta gama en la fabricación de semiconductores.

Bomba para vacío preliminar (hasta el vacío de aproximadamente 10-3 torr) completamente seca (libre de vapores de aceite); cada vez más común en equipos de procesamiento de semiconductores avanzados porque no tiene aceite; bomba de tornillo seca: el rotor con forma de tornillo impulsa las moléculas de gas al exterior.

Vidrio borofosfosilicato; dióxido de silicio (sílice) con agregado de boro y fósforo para reducir la temperatura a la cual el vidrio (óxido) comienza a fluir de aproximadamente 950 ºC para SiO₂ puro a 500 ºC para BPSG; se utiliza para aplanar la superficie; se deposita por CVD.

Recipiente que contiene líquido a través del cual pasa un gas portador inerte para transportar parte de la presión parcial del líquido a un tubo de proceso o una cámara de reacción.

Corrosión por haz de iones químicamente asistida

Capa de cristal depositada (normalmente adulterada) que tiene la misma orientación cristalográfica que el sustrato (oblea). También se la denomina \'epi\'.

Epitaxia de haz químico

Especificación gubernamental emitida como FED-STD-209 que definió el número de partículas de un determinado tamaño y la distribución por volumen cúbico de espacio para cada clase.

Semiconductor complementario de óxido de metal. Familia lógica formada por la combinación de transistores MOS de canal N y canal P.

Pulido químico-mecánico, aplanado químico-mecánico, método para eliminar capas de sólidos mediante pulido químico-mecánico realizado con el fin de aplanar la superficie y definir el patrón de interconexión de metales; proceso clave en el final de la fabricación de circuitos integrados en línea.

Proceso de extracción de material (como óxidos u otras películas delgadas) por medios químicos, electrolíticos o de plasma (bombardeo de iones).

Corrosión en la cual el índice de corrosión en la dirección normal hacia la superficie es mucho más alto que en la dirección paralela a la superficie; no hay corte inferior, es decir, se minimiza la distorsión lateral del patrón; es necesaria para definir geometrías muy ajustadas.

Corrosión seca en la cual la oblea semiconductora se sumerge en plasma que contiene especies corrosivas; la reacción de la corrosión química tiene lugar a la misma velocidad en cualquier sentido, es decir, la corrosión es isotrópica; puede ser muy selectiva; se utiliza en aplicaciones en las que no se requiere direccionalidad (anisotropía) de la corrosión, por ejemplo, en la eliminación de resistencia.

Eliminación del dióxido de silicio.

Corrosión por rociado; proceso de corrosión a través de interacciones físicas (transferencia de cantidad de movimiento) entre iones acelerados químicamente inertes (p. ej., Ar) y partículas sólidas corroídas; anisotrópica, no selectiva.

Proceso de corrosión en el procesamiento de semiconductores que depende de la reacción química en la fase líquida; altamente isotrópica, pero puede ser muy selectiva.

Proceso de corrosión mediante reacción química entre especies corrosivas químicamente reactivas y material corroído; isotrópica y selectiva.

Proceso de corrosión que tiene lugar en fase gaseosa; puede ser puramente química (corrosión por plasma), puramente física (grabado iónico) o una combinación de ambos (corrosión por iones reactivos - RIE).

El coste total en que incurre un fabricante para ser propietario de un bien de equipo durante toda la vida útil de dicho bien, incluidos los costes iniciales y los costes operativos anuales.

Deposición química por vapor; proceso gaseoso que deposita películas aislantes o metal sobre una oblea a temperatura elevada. A menudo, se usa presión reducida para promover la reacción química.

Proceso de extracción de material de la superficie de la oblea; suele implicar que la extracción no se realiza con fines de marcar un patrón, p. ej., el despojamiento de resistencia, en cuyo caso toda la resistencia se elimina después de la litografía y la corrosión.

Proceso de hornear o adherir químicamente nuevas capas delgadas sobre la oblea de silicio. Esto se realiza mediante hornos de difusión, oxidación a alta presión y procesamiento térmico rápido.

Región altamente adulterada en los sustratos semiconductores que se encuentra en el extremo del canal en transistores de efecto de campo; los portadores salen del transistor a través del drenaje.

Corrosión reactiva iónica profunda; método utilizado para delinear características geométricas profundas en el silicio; es necesaria para dar forma a estructuras MEMS.

Proceso mediante el cual una capa delgada de material monocristalino se deposita sobre el sustrato monocristalino; al ocurrir el crecimiento epitaxial, la estructura cristalográfica del sustrato se reproduce en el material depositado; también se reproducen los defectos cristalinos del sustrato en el material depositado.

Transistor de efecto de campo; transistor en el cual la corriente de salida (corriente de drenaje de origen) es controlada por la tensión que se aplica a la puerta y que puede ser una estructura MOS (MOSFET), una unión P-N (JFET) o un contacto metal-semiconductor (MESFET); FET es un transistor unipolar, es decir, la corriente está controlada únicamente por portadores mayoritarios.

La forma más débil de adsorción que resulta de la atracción puramente física (fuerza de van der Waals) entre el adsorbato y la superficie; no se forma enlace químico entre el adsorbato y la superficie.

Líquido sensible a la luz que se distribuye como una película delgada uniforme sobre una oblea o un sustrato. Después del horneado, se realiza la exposición de patrones específicos usando una máscara. El material restante después del desarrollo resiste a operaciones subsiguientes de corrosión o implante.

Espectroscopia de infrarrojos transformada de Fourier; método de caracterización de materiales utilizado para investigar la composición de materiales basándose en el análisis de bandas de absorción espectrales; usa el espectrómetro de transformación de Fourier; las muestras deben ser transparentes a la radiación infrarroja.

Gas inerte que se utiliza para transportar otros elementos a una cámara o tubo de proceso.

Proceso que se utiliza para aplicar el fotorresistente a la superficie de la oblea.

Plasma de alta densidad; plasma con alta concentración de electrones libres y, por lo tanto, alta concentración de iones.

Deposición química por vapor con plasma de alta densidad

Herramienta utilizada en la fabricación de dispositivos semiconductores para procesar obleas a alta temperatura en el ambiente de composición estrictamente controlada; utiliza serpentines de calentamiento pesados y, por lo tanto, no permite cambios rápidos en la temperatura de las obleas; proceso de alto presupuesto térmico; el RTP (procesamiento térmico rápido) es una alternativa de bajo presupuesto térmico.

Horno para el procesamiento a alta temperatura de obleas semiconductoras en el cual el tubo de proceso se coloca en posición horizontal y las obleas se ubican en el bote en sentido vertical sobre sus bordes; se utiliza para oxidación térmica, CVD, difusión y recocidos; procesador por lotes; una configuración alternativa: horno vertical.

Horno para el procesamiento a alta temperatura de obleas semiconductoras en el cual el tubo de proceso se coloca en posición vertical y las obleas se ubican en sentido horizontal dentro del tubo; superior al horno horizontal en términos de uniformidad de calentamiento, compatible con la huella y la carga automática de obleas; debe evitarse la combadura de las obleas apoyadas en sentido horizontal; procesador por lotes.

Plasma acoplado inductivamente; plasma de alta densidad utilizado en el procesamiento de semiconductores, particularmente en la corrosión.

Herramienta utilizada para llevar a cabo procesos de implantación de iones

Medio para agregar adulterantes a un material semiconductor. Los átomos cargados (iones) se aceleran en un campo eléctrico hacia el material semiconductor. Es especialmente útil para áreas adulteradas finas. Este proceso es mucho más preciso que el método de adulteración por difusión.

Eliminación (por volatilización) de materias orgánicas (p. ej., fotorresistentes) de la superficie de la oblea; p. ej., la incineración de plasma de oxígeno.

Transistor de efecto de campo de unión; transistor de efecto de campo en el cual el canal y su conductividad se controlan modificando el ancho de la región de carga de espacio asociada a una unión P-N.

Transferencia de un patrón o imagen de un medio a otro, por ejemplo, de una máscara a una oblea. Si se usa luz para realizar la transferencia, se aplica el término fotolitografía. La microlitografía hace referencia al proceso cuando se aplica a imágenes con características dentro del intervalo de los submicrones.

Deposición química por vapor a baja presión; proceso de deposición química por vapor realizado a presión reducida (menor que la atmosférica).

Epitaxia de haz molecular; proceso de deposición física (básicamente evaporación) realizado en vacío ultra alto (menos de 10-8 torr) y a una temperatura de sustrato que típicamente no supera los 800 ^oC; debido al flujo no obstruido (molecular) de las especies que se depositarán y a la limpieza química de la superficie del sustrato, es posible un crecimiento altamente controlado de capas epitaxiales ultra delgadas; es el método de deposición de mayor precisión utilizado en el procesamiento de semiconductores.

Sistemas microelectromecánicos micromaquinados en silicio; típicamente integrados con microcircuitos electrónicos; generalmente entran en dos categorías de microsensores y microaccionadores; según la aplicación, la operación se basa en electrostricción o en efecto electromagnético, termoelástico, piezoeléctrico o piezorresistente.

Transistor de efecto de campo metal semiconductor; FET con contacto metal-semiconductor (diodo Schottky) como puerta; permite aplicar un transistor de efecto de campo con semiconductores que no tienen óxido nativo de alta calida (p. ej., GaAs) y, por lo tanto, no son compatibles con el enfoque de puerta MOS.

Capa delgada de metal, p. ej., TiN, entre otro metal y un semiconductor (o aislante) para prevenir interacciones potencialmente perjudiciales entre estos, p. ej., la integración.

La metalización es el proceso por el cual se deposita una película delgada de metal y se modela para formar el diseño de interconexiones deseado.

Deposición química metal-orgánica por vapor; proceso de CVD que utiliza compuestos metal-orgánicos como materiales de origen; los compuestos metal-orgánicos se descomponen térmicamente a temperaturas menores que otros compuestos que contienen metales; método usado a menudo en el crecimiento epitaxial de películas muy delgadas de semiconductores III-V.

Transistor de efecto de campo de semiconductor metal óxido; FET con estructura MOS como puerta; la corriente fluye en el canal entre el origen y el drenaje; el canal se crea aplicando el potencial adecuado al contacto de puerta e invirtiendo la superficie del semiconductor debajo de la puerta; la estructura MOSFET se implementa de manera casi exclusiva con óxido de puerta Si y SiO₂; dispositivo conmutador eficiente que predomina en aplicaciones de lógica y de memoria; PMOSFET (sustrato Si de canal P, tipo N) y NMOSFET (sustrato Si de canal N, tipo P) combinados forman la célula CMOS básica.

Alano 1-metilpirrolidina

Tiempo medio entre fallos; es el recíproco de la suma de la tasa de fallos de todos los componentes de un sistema.

Epitaxia en fase vapor de organometálicos

Uno de los tres terminales de los transistores de efecto de campo; región altamente adulterada desde la cual fluye la mayoría de los portadores al canal.

Proceso químico por el cual se liga oxígeno con otro elemento. En los semiconductores, la oxidación significa la unión de oxígeno y silicio para formar dióxido de silicio (SiO₂).

Normalmente, se refiere al dióxido de silicio (SiO₂) en la terminología de los semiconductores.

Capa delgada de óxido térmico que separa el electrodo (terminal) de la puerta del sustrato semiconductor.

Pentakis (dimetilamino) tantalio.

Deposición química por vapor mejorada con plasma, deposición química por vapor a baja presión utilizando energía de RF.

Gas eléctricamente conductivo compuesto de partículas ionizadas que se usan para corroer material no deseado a través de un proceso de bombardeo químico o físico. La corrosión con plasma tiene lugar en un reactor, que puede ser tipo barril o plano.

Término que describe el modo de procesamiento con plasma en el cual la oblea se ubica lejos del plasma y, por lo tanto, no se expone directamente a él; las reacciones deseadas (p. ej., la corrosión) se implementan extrayendo especies ionizadas del plasma y dirigiéndolas a la oblea; el proceso de plasma remoto deriva en menor daño superficial que en el proceso estándar porque los iones generados por el plasma llegan energéticamente relajados a la superficie de la oblea.

Silicio policristalino. A veces se lo denomina \'poli\'. Forma de silicio compuesta de muchos cristales pequeños orientados al azar. El poli adulterado es conductor de la electricidad y a menudo se utiliza como alternativa al metal en dispositivos interconectados de circuitos integrados.

partes por billón

partes por millón

Proceso en el cual se procesan varias obleas al mismo tiempo; opuesto al proceso de una sola oblea; p. ej., la oxidación térmica en el horno (horizontal o vertical) es un ejemplo excelente del proceso por lotes.

Estructura utilizada para controlar la corriente de salida (es decir, el caudal de los portadores en el canal) en el transistor de efecto de campo (FET); en la puerta MOSFET, comprende el contacto de la puerta y óxido delgado; en la puerta MESFET es un contacto Schottky; en JFET: metal y unión P-N.

Deposición física por vapor; deposición de una película delgada que ocurre por la transferencia física de material (p. ej., por la evaporación térmica y por el rociado) del origen al sustrato; la composición química del material depositado no se altera en el proceso.

Absorción de especies (adsorbatos) en superficies sólidas mediante la formación de un enlace químico entre el adsorbato y la superficie.

Tratamiento térmico al que se somete la oblea con el fin de modificar propiedades de materiales o estructuras procesados en su superficie o en su totalidad.

Corrosión reactiva iónica; variante de la corrosión con plasma en la cual durante la corrosión la oblea semiconductora se coloca en el electrodo impulsado por RF; la oblea capta potencial que acelera las especies corrosivas extraídas del plasma hacia la superficie corroída; la reacción de corrosión química tendrá lugar preferentemente en la dirección normal hacia la superficie, es decir, la corrosión es más anisotrópica que en la corrosión con plasma pero menos selectiva; deja la superficie corroída dañada; es el modo de corrosión más común en la fabricación de semiconductores.

Deposición química térmica rápida por vapor; proceso de CVD mejorado térmicamente que se realiza a alta temperatura pero durante un tiempo muy breve.

Procesamiento térmico rápido; término general que describe el tipo de proceso en el cual la temperatura de la oblea aumenta rápidamente por calentamiento radiante de lámparas halógenas de cuarzo de alta potencia; proceso de bajo presupuesto térmico; útil en varias aplicaciones en procesamiento de dispositivos semiconductores en las cuales se requiere exposición a altas temperaturas pero no se desea transferir la gran cantidad de energía térmica a la oblea.

Deposición química por vapor de área selectiva; proceso de CVD que deposita una película delgada de material solo en áreas seleccionadas de la superficie de la oblea; la selectividad de la deposición es controlada por la composición química de la superficie que se puede alterar localmente.

Material con propiedades tanto de conductor como de aislante. Los semiconductores comunes incluyen el silicio y el germanio.

Semiconductor formado utilizando dos o más elementos; los semiconductores no aparecen en la naturaleza: se sintetizan mediante elementos de los grupos II a VI de la tabla periódica, p. ej., del grupo III y V (compuestos III-V) o II y VI (compuestos II-VI).

Cristal semiconductor que contiene una pequeña cantidad de átomos adulterantes con un electrón más de valencia que los demás átomos del cristal. Estos electrones negativos adicionales no pueden encontrar ningún enlace no ocupado para unirse, de modo que pueden moverse libremente y constituir corriente eléctrica. Los adulterantes tipo N comunes para el silicio son el fósforo y el arsénico.

Cristal semiconductor que contiene una pequeña cantidad de átomos adulterantes con un electrón externo menos que los demás átomos del cristal. Cada átomo adulterante causa un punto no ocupado, denominado vacancia, entre los electrones que están enlazados en sus órbitas. Las vacancias tienen carga positiva y se mueven, constituyendo una corriente eléctrica. El boro es un adulterante tipo P de uso común para el silicio.

Butilarsina terciaria.

Butilfosfina terciaria.

Tetrakis (dietilamido) hafnio.

Tetrakis (dimetilamimo) titanio.

Trietil galio.

Trietil indio.

Tetrakis (etilmetilamino) hafnio.

Tetraetil ortosilicato, Si(OC₂H₅)₄; compuesto gaseoso utilizado comúnmente en procesos de CVD de SiO₂ (denominado óxido TEOS); buena conformidad de revestimiento; material relativamente inerte, líquido a temperatura ambiente; se descompone térmicamente aproximadamente a 700 ^oC para formar SiO₂; la mejora de plasma reduce la temperatura de deposición a menos de 500 ^oC.

Nitruro de titanio; conductor (resistividad de 30 a 70 microohm-cm) utilizado en la tecnología del silicio como barrera para separar el silicio y el contacto metálico; alto punto de fusión (2950 ^oC); depositado por LPCVD.

Valor límite umbral.

Trimetil aluminio.

Dimetilhidrazina asimétrica.

Ruta llena de material conductor entre capas de circuitos.