| Prozessapplikation | Typisch verwendete Gase oder Precursorflüssigkeiten |
|---|---|
| Plasmaätzen | |
| Metall ätzen | Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6 |
| Silicium ätzen | Cl2, HBr, SF6, CF4, NF3, C4F8 |
| Oxid ätzen | CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3 |
| Nitrid ätzen | Cl2, O2, SF6 |
| Wolframabtrag | SF6 |
| Ionenimplantation | |
| Hoch, Mittel, Schwach | AsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3 |
| ALD-LPCVD-PECVD | |
| TEOS, undotiert | TEOS, O2, O3 |
| BPSG | TEOS, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6 |
| Poly-Si | SiH4 |
| Poly-Si dotiert mit As | SiH4, AsH3 |
| Oxid | SiH4, O2 |
| Nitrid, undotiert | SiH4, NH3, DCS |
| Nitrid, dotiert | SiH4, NH3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6 |
| Oxinitrid, undotiert | SiH4, NH3, N2O |
| Oxinitrid, dotiert | SiH4, NH3, N2O, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6 |
| Low-k-Dielektrika | 1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS |
| Kupfer-CVD | Cu(hfac)(TMVS) |
| Wolfram | WF6, SiH4, H2 |
| Wolframsilicid | WF6, SiH4, H2, DCS |
| Titan | TiCl4 |
| Titannitrid | TiCl4, NH3, TDMAT |
| Tantalnitrid | PDMATa, PDEATa |
| Tantaloxid | TAETO |
| Wolframnitrid | W(CO)6, NH3 |
| HDPCVD, undotiert | SiH4, O2, Ar |
| HDPCVD, dotiert | SiH4, O2, Ar, TMP, TMB, PH3, B2H6 |
| PECVD rein | |
| PFC Plasma | C2F6, C4F8, NF3 |
| NF3 Remote Plasma | F2 |
| Epitaxie | |
| Silicium | DCS, TCS, SiH4, AsH3, PH3, B2H6, HCl |
| Silicium-Germanium | SiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl |
| Verbindungshalbleiter | |
| InP OMVPE (MOCVD) | TMIn, PH3, TBP |
| GaAs OMVPE (MOCVD) | TMGa, AsH3, TBA |
| GaN OMVPE (MOCVD) | TMGa, NH3, UDMH |
| MBE (MOMBE) | As, P, AsH3, PH3 |
| III-V ätzen | Cl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, O2 |
Applikationsliste
Abgasreinigung mit Trockenbettabsorbern CLEANSORB
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