| Применение процесса | Типичные используемые газообразные или жидкие исходные реагенты |
|---|---|
| Плазменное травление | |
| Травление металлов | Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6 |
| Травление кремния | Cl2, HBr, SF6, CF4, NF3, C4F8 |
| Травление оксидов | CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3 |
| Травление нитридов | Cl2, O2, SF6 |
| Протравливание вольфрама | SF6 |
| Ионная имплантация | |
| Высокое, среднее, низкое | AsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3 |
| ALD-LPCVD-PECVD | |
| ТЭОС, нелегированный | ТЭОС, O2, O3 |
| BPSG | ТЭОС, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6 |
| поликремний | SiH4 |
| легированный мышьяком поликремний | SiH4, AsH3 |
| оксид | SiH4, O2 |
| нитрид, нелегированный | SiH4, NH3, DCS |
| нитрид, легированный | SiH4, NH3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6 |
| оксинитрид, нелегированный | SiH4, NH3, N2O |
| оксинитрид, легированный | SiH4, NH3, N2O, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6 |
| диэлектрики с низким значением k | 1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS |
| медь, CVD | Cu(hfac)(TMVS) |
| вольфрам | WF6, SiH4, H2 |
| силицид вольфрама | WF6, SiH4, H2, DCS |
| титан | TiCl4 |
| нитрид титана | TiCl4, NH3, TDMAT |
| нитрид тантала | PDMATa, PDEATa |
| оксид тантала | TAETO |
| нитрид вольфрама | W(CO)6, NH3 |
| HDPCVD, нелегированный | SiH4, O2, Ar |
| HDPCVD, легированный | SiH4, O2, Ar, TMP, TMB, PH3, B2H6 |
| PECVD, чистый | |
| плазма перфторированных соединений | C2F6, C4F8, NF3 |
| отдаленная плазма NF3 | F2 |
| эпитаксия | |
| кремний | DCS, TCS, SiH4, AsH3, PH3, B2H6, HCl |
| кремний-германий | SiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl |
| полупроводниковые соединения | |
| InP, OMVPE (MOCVD) | TMIn, PH3, TBP |
| GaAs OMVPE (MOCVD) | TMGa, AsH3, TBA |
| GaN OMVPE (MOCVD) | TMGa, NH3, UDMH |
| MBE (MOMBE) | As, P, AsH3, PH3 |
| травление элементов III-V групп | Cl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, O2 |
Список применений
Нейтрализация с помощью сухих поглотителей CLEANSORB
Нейтрализация с помощью сухих поглотителей CLEANSORB