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Sistemas de suministro de precursores líquidos - Lista de aplicaciones

Fórmula químicaNombre químicoPelículaAplicación
Al(CH3)3TMAAl2O3óxido de puerta ALD de alto k, capacitor
Hf[N(CH3)(C2H5)]4TEMAHHfO2
óxido de puerta ALD de alto k
Hf[N(CH3)2]4TDMAHHfO2
óxido de puerta ALD de alto k
Hf[N(C2H5)2]4TDEAHHfO2
óxido de puerta de ALD de alto k
Ta(OC2H5)5TAETO, PETTa2O5Capacitor de ALD de alto k
TiCl4TiCl4TiNBarrera/revestimiento de CVD, ALD
Ti[N(CH3)2]4TDMATTiNBarrera/revestimiento de CVD, ALD
Ti[N(C2H5)2]4TDEATTiNBarrera/revestimiento de CVD, ALD
Si2Cl6, C5H5NHCDS/ PiridinaSiNALD, espaciador de CVD, capacitor
SiCl4, C5H5NSiCl4/ PiridinaSiNALD, espaciador de CVD, capacitor
C4H8NCH3•AlH3MPA (1-Metilpirrolidina Alano)AlElectrodo de puerta de ALD
Ru(C2H5C5H4)2Ru(Etcp)2RuO2Electrodo de puerta de ALD
Ta[N(C2H5)(CH3)]5PEMATTaNElectrodo de puerta de ALD
Ta[N(C2H5)2]3NC(CH3)3Tris(dietilamino)tantalio-t-butilimida, TBTDETTaNElectrodo de puerta de ALD
Al(CH3)3 TMAAlGaAs, InAlGaP, AlGaN, InAlAsMOCVD
Ga(CH3)3TMGaGaAs, AlGaAs, InAlGaP, AlGaNMOCVD
AsH2(C4H9)Butilarsina terciaria TBAAdulteranteMOCVD
PH2(C4H9)Butilfosfina terciaria TBPAdulteranteMOCVD
(CH3)2N-NH2UDMHGaInAsN, GaAsNMOCVD
Si(OCH2CH3)4TEOSSiO2Dieléctrico de CVD
B(OCH)3TMBAdulteranteDieléctrico de CVD
PO(OCH3)3TMOPAdulteranteDieléctrico de CVD
(C4H9NH)2SiH2BTBAS (Bis (terciario-butilamino) silano)SiNxBarrera de CVD
Si(CH3)44MSSiCxOyCVD de bajo k
[CH3SiOH]4TMCTSSiCxOyCVD de bajo k
[(CH3)2SiO]4OMCTS, D4SiCxOyCVD de bajo k
Si(CH3)2(OCH3)2DMDMOS Aurora ISiCxOyCVD de bajo k
SiH(CH3)3TMS, 3MSSiCxOyCVD de bajo k
(CH3)2(CH3O)SiO-Si(OCH3)(CH3)2TMDMODSO, Aurora IISiCxOyCVD de bajo k
(CH3)2(CH3O)SiO-Si(CH3)2OSi(OCH3)(CH3)2HMDMOTSO,1,5-dimetoxihexa-metiltrisiloxano Aurora IIISiCxOyCVD de bajo k
Si3H8Trisilano, Silcor®SiEpitaxia